美光预计 2028 年带来计算芯片垂直堆叠 vHBM 与边缘推理 vEIM

Micron（美光）于当地时间昨日（10 月 22 日）举办了 2026 年度技术网络研讨会，会上对 DRAM、泛 HBM、NAND 及 SSD 等产品线的未来发展进行了展望。本文重点聚焦于采用堆叠集成技术的泛 HBM 内存产品系列。

美光预计，在标准 HBM5 将于 2028 年问世的同时，还将推出两种新型的 3DS 内存，它们分别是 vHBM 和 vEIM。

vHBM 可被视为 HBM 的 3D 集成版本，其特点在于将 DRAM Die、Base Die 以及 XPU 逻辑主芯片进行垂直堆叠。这一设计有助于缩短数据通信路径，从而提升带宽效率并降低能耗。同时，vHBM 能够与标准的 2.5D HBM 方案共存。

vEIM 在结构上类似于 vHBM，但其设计专门针对端侧 AI 推理场景。该产品的初代版本目标为实现 2TB/s 的带宽以及低于 1pj/bit 的能效表现。

▲ HBM 先进封装示意图

为了推动 vHBM 和 vEIM 的实现，美光计划采用无凸块的混合键合技术，并引入集成的散热解决方案。

▲ HBM 技术演进路线图